发光二极管磊晶结构及其制造方法

摘要

一种发光二极管磊晶结构，包括一硅基板及一半导体结构层，该硅基板上形成有一图案化的介质层及阻隔层，该半导体结构层与基板之间形成有多个分离的孔隙。本发明的磊晶结构由于在半导体结构层与基板之间形成有多个孔隙，二者之间由于热膨胀系数差异而导致残留的应力可被有效地缓解，从而确保磊晶结构的良品率。本发明还提供有一种制造磊晶结构的方法。

主权项

一种发光二极管磊晶结构，包括一硅基板及一半导体结构层，其特征在于：该硅基板上形成有一图案化的介质层及阻隔层，半导体结构层与基板之间形成有多个分离的孔隙，介质层及阻隔层是通过将具有一图案化铝薄膜层的硅基板置于含氧或含氮的环境下，使铝薄膜层及硅基板被氧化或氮化所形成的，该介质层开设有多个凹槽，阻隔层位于这些凹槽内，所述分离的孔隙位于阻隔层上方。