发明名称 用于可适性自对准双图案成型的基于序列内测量的过程调谐
摘要 一种用于可适性自对准双图案成型的设备及其方法。该方法包含提供基材给处理平台,处理平台配置为执行蚀刻过程和沉积过程;及测量单元,其配置用于真空中临界尺寸(CD)测量。真空中CD测量用于过程序列处理平台的前馈可适性控制,或用于腔室过程参数的反馈与前馈可适性控制。在一个方面中,多层掩模层叠的第一层被蚀刻以形成样板掩模;对样板掩模做真空中CD测量;并且邻接样板掩模形成间隔物,使之达到与样板掩模的CD测量相关的宽度。
申请公布号 CN102089859B 申请公布日期 2014.01.29
申请号 CN200980127210.4 申请日期 2009.07.10
申请人 应用材料公司 发明人 马修·F·戴维斯;托尔斯特恩·B·莱尔;连雷
分类号 H01L21/027(2006.01)I 主分类号 H01L21/027(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 侯颖媖
主权项 一种自对准双图案成型的方法,其包含以下步骤:将具有多层掩模层叠的第一基材装载至处理平台;蚀刻所述多层掩模层叠的第一层,以形成样板掩模;执行所述样板掩模的真空中临界尺寸CD测量;在所述样板掩模上方沉积间隔物层,其中,所述间隔物层形成至某厚度,所述厚度与所述样板掩模的CD测量相关;执行真空中CD测量,以确定所沉积的所述间隔物层的厚度;及在各向异性蚀刻所述间隔物层以形成所述间隔物前,基于所测量的所述间隔物层的厚度,通过额外沉积来增补所述间隔物层的厚度或对所述间隔物层进行各向同性蚀刻;各向异性蚀刻所述间隔物层,以暴露所述样板掩模,并从所述间隔物层形成间隔物;以及将所述第一基材从所述处理平台卸载。
地址 美国加利福尼亚州