发明名称 |
MEMS结构的牺牲层湿法腐蚀方法及MEMS结构 |
摘要 |
本发明提供一种微机电系统(MEMS)结构的牺牲层湿法腐蚀方法。根据所述方法,在所述牺牲层表面施加增黏剂并且通过调整所述增黏剂的量来改变牺牲层与光刻胶之间的黏附性,进而以湿法腐蚀得到所需腐蚀形貌的牺牲层。本发明还提供了用所述方法得到的MEMS结构。采用本发明所提供的方法,可以灵活地控制通过湿法腐蚀制作MEMS牺牲层时所得到的腐蚀形貌,尤其是得到直线斜坡形的腐蚀形貌,从而使MEMS结构中的后续层有良好的覆盖性。 |
申请公布号 |
CN103539064A |
申请公布日期 |
2014.01.29 |
申请号 |
CN201210236844.7 |
申请日期 |
2012.07.10 |
申请人 |
无锡华润上华半导体有限公司 |
发明人 |
苏佳乐 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
张懿;王忠忠 |
主权项 |
一种微机电系统(MEMS)结构的牺牲层湿法腐蚀方法,其特征在于,在所述牺牲层表面施加增黏剂并且通过调整所述增黏剂的量来改变牺牲层与光刻胶之间的黏附性,进而以湿法腐蚀得到所需腐蚀形貌的牺牲层。 |
地址 |
214028 无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 |