一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供包含NMOS部分和PMOS部分的半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；形成一由三层材料堆叠而成的遮蔽体；形成一经过图形化的光刻胶层；去除位于所述PMOS部分的第三材料层；蚀刻位于所述PMOS部分的第二材料层，以形成一覆盖所述PMOS部分的栅极结构的侧面及顶部的侧壁体；去除未被所述侧壁体所覆盖的第一材料层；去除所述光刻胶层，并在所述半导体衬底中形成碗状凹槽；蚀刻所述碗状凹槽，以形成∑状凹槽；去除位于所述NMOS部分的第三材料层；去除位于所述半导体衬底上的第二材料层；在所述∑状凹槽中形成锗硅层；形成覆盖所述栅极结构的间隙壁结构。根据本发明，可将嵌入式锗硅工艺更好地集成到CMOS制程中。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包含NMOS部分和PMOS部分，且在所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述半导体衬底上形成一由三层材料堆叠而成的遮蔽体，以覆盖所述栅极结构；在所述半导体衬底上形成一经过图形化的光刻胶层，以遮蔽所述NMOS部分；去除构成位于所述PMOS部分的遮蔽体的三层材料中的第三材料层；蚀刻构成位于所述PMOS部分的遮蔽体的三层材料中的第二材料层，以形成一覆盖所述PMOS部分的栅极结构的侧面及顶部的侧壁体；去除未被所述侧壁体所覆盖的构成遮蔽体的三层材料中的第一材料层，以形成用于蚀刻硅凹槽的窗口；去除所述经过图形化的光刻胶层，并通过所述窗口在位于所述PMOS部分的半导体衬底中形成碗状凹槽；蚀刻所述碗状凹槽，以形成∑状凹槽；去除构成所述NMOS部分的遮蔽体的三层材料中的第三材料层；去除构成所述半导体衬底上的遮蔽体的三层材料中的第二材料层；在所述∑状凹槽中形成锗硅层；形成覆盖所述栅极结构的间隙壁结构。