| 发明名称 | 包括热辐射部的半导体芯片及半导体芯片的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供包括热辐射部的半导体芯片及半导体芯片的制造方法，该半导体芯片包括：半导体基板，包括第一表面和第二表面；集成电路（IC），在半导体基板的第一表面上；以及热辐射部，在半导体基板的第二表面上。该热辐射部包括：在垂直于第二表面的方向上的热辐射图案；和在热辐射图案的上部上的热辐射层。该热辐射图案包括多个凹槽和多个突起，该热辐射层包括金属材料并且具有平坦的上表面。 | ||
| 申请公布号 | CN103545272A | 申请公布日期 | 2014.01.29 |
| 申请号 | CN201310293576.7 | 申请日期 | 2013.07.12 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 裵钟坤;禹宰赫;姜元植;金成起;金亮孝 |
| 分类号 | H01L23/367(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/367(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 弋桂芬 |
| 主权项 | 一种半导体芯片，包括：半导体基板，包括第一表面和第二表面；集成电路，在所述半导体基板的所述第一表面上；以及热辐射部，在所述半导体基板的所述第二表面上，该热辐射部包括：在垂直于所述第二表面的方向上的热辐射图案，该热辐射图案包括多个凹槽和多个突起，以及在所述热辐射图案的上部上的热辐射层，该热辐射层包括金属材料并且具有平坦的上表面。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||