| 发明名称 | 电容器阴极箔结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种电容器阴极箔结构之制造方法，包括以下之步骤：首先，提供一基箔，并将该基箔置入一反应腔室；接着，进行一加热程序，将该基箔加热到400℃至1000℃间之一温度；之后，将碳前驱物通入该反应腔室；之后，进行一冷却程序，将该基箔冷却低于100℃之一温度，以沉积一石墨烯层于该基箔之表面，并且该石墨烯层系由复数层石墨烯薄膜相互堆栈所构成；及最后，将一抗氧化层沉积于石墨烯层上。 | ||
| 申请公布号 | CN103545110A | 申请公布日期 | 2014.01.29 |
| 申请号 | CN201310407796.8 | 申请日期 | 2013.09.10 |
| 申请人 | 钰邦电子（无锡）有限公司 | 发明人 | 林清封;陈明宗;王懿颖 |
| 分类号 | H01G9/042(2006.01)I;H01G9/045(2006.01)I | 主分类号 | H01G9/042(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人 | 刘洪京 |
| 主权项 | 一种电容器阴极箔结构之制造方法，包括以下之步骤：提供一基箔，并将该基箔置入一反应腔室；进行一加热程序，将该基箔加热到400℃至1000℃间之一温度；将碳前驱物通入该反应腔室；以及进行一冷却程序，将该基箔冷却低于100℃之一温度，以沉积一石墨烯层于该基箔之表面，并且该石墨烯层系由复数层石墨烯薄膜相互堆栈所构成。 | ||
| 地址 | 214000 江苏省无锡市锡山经济开发区东盛一路1201号 | ||