发明名称 一种脉冲激光沉积制备纳米银/二氧化硅复合结构涂层的方法
摘要 一种脉冲激光沉积制备纳米银/二氧化硅复合结构涂层的方法,它涉及一种复合结构抗菌涂层的制备方法。本发明是要解决现有制备纳米银/二氧化硅复合结构的方法存在化学原料种类多、反应过程引入杂质的问题。制备方法:一、制备银/二氧化硅复合靶材;二、清洗衬底;三、将靶材和衬底分别固定在可自转靶位和样品托上;四、抽真空后通入氧气;五、采用准分子激光器对靶材进行激光烧蚀在室温下沉积涂层;六、停止沉积。本发明方法制备纳米银/二氧化硅复合结构涂层,只需使用两种原料,在真空腔中制备避免了杂质引入,室温沉积保证了无机、有机等不同材质衬底的使用,在医疗、电子等领域潜在应用广泛;本发明用于制备纳米银/二氧化硅复合结构涂层。
申请公布号 CN103540899A 申请公布日期 2014.01.29
申请号 CN201310541663.X 申请日期 2013.11.05
申请人 哈尔滨工业大学 发明人 孙晔;刘潇;于淼;尹永琦;杨彬;曹文武
分类号 C23C14/28(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I 主分类号 C23C14/28(2006.01)I
代理机构 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人 牟永林
主权项 一种脉冲激光沉积制备纳米银/二氧化硅复合结构涂层的方法,其特征在于脉冲激光沉积制备纳米银/二氧化硅复合结构涂层的方法是按以下步骤进行:一、银/二氧化硅复合靶材的制备:将纯度为99.9%的二氧化硅粉末在压力为20MPa下压制成直径为10mm~100mm、厚度为1mm~10mm的二氧化硅圆片,再在温度为1200℃~1600℃进行烧结,烧结时间为1h~10h,然后将7mm2~6300mm2的纯银片固定在烧结后的二氧化硅圆片上,得到银/二氧化硅复合靶材;所述纯银片占银/二氧化硅复合靶材面积的10%~90%;二、清洗衬底:对衬底以依次用丙酮、去离子水和甲醇各超声清洗1次为一个周期,重复清洗2~3个周期,即得到清洗后的衬底,其中一个周期内:先采用丙酮超声清洗5min~20min,再采用去离子水超声清洗5min~20min,最后采用甲醇超声清洗5min~20min;三、将步骤一得到的银/二氧化硅复合靶材装入脉冲激光沉积旋转靶位,将步骤二清洗后的衬底固定在可自转样品托上,且清洗后的衬底与银/二氧化硅复合靶材相向而置,清洗后的衬底与银/二氧化硅复合靶材之间的距离为20mm~100mm;四、抽真空,当真空腔的真空度达到1×10‑3Pa后,通入缓冲气体,采用质量流量计控制缓冲气体流量为1sccm~100sccm,缓冲气体压力为0.01Pa~1000Pa;五、调节衬底温度为10℃~500℃后,采用氟化氪准分子激光器对银/二氧化硅复合靶材进行激光烧蚀,激光能量密度为0.1J/cm2~100J/cm2,激光脉冲宽度为25ns,频率为1Hz~50Hz,银/二氧化硅复合靶材自转速度为1r/min~100r/min,衬底自传速度为1r/min~100r/min;六、激光烧蚀时间为1min~120min,激光烧蚀结束后,停止分子泵,再停止机械泵,打开机械泵下部的放气阀,并向真空腔中通入缓冲气体至常压,在衬底上得到纳米银/二氧化硅复合结构涂层;所述的衬底为金属单质、金属合金、玻璃、二氧化硅、硅或有机材料;所述衬底与银/二氧化硅复合靶材之间的距离通过手轮自由调节;所述的缓冲气体为氧气、氮气、氩气中的一种或几种的混合气体。
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