一种微电子封装用AlN陶瓷基板的制备方法

摘要

本发明公开了一种微电子封装用AlN陶瓷基板的制备方法，涉及微电子封装领域，尤其涉及AlN陶瓷助烧剂添加及低温烧结新技术。其选用高纯度的AlN粉体，添加无水硝酸钇和无水硝酸钙为助烧剂，加入有机溶剂，湿法混料；干燥后，将混合粉在640-680℃下进行煅烧，再加入成形剂，混合均匀后，经压制成型，在1600-1800℃下烧结，制得AlN陶瓷。本发明以无水硝酸盐的形式添加烧结助剂，不仅能有效改善AlN陶瓷中助烧剂的成分均匀性和分布均匀性，而且助烧剂粉体粒径细小，活性高，有助于降低AlN陶瓷烧结温度。本发明制备的AlN陶瓷结构致密，晶粒细小而均匀，力学性能和热学性能优良。

主权项

一种微电子封装用AlN陶瓷基板的制备方法，其特征在于，先将含水硝酸盐在260‑280℃脱水处理20‑30min，去除硝酸盐中的结晶水后，然后将无水硝酸盐烧结助剂在无水乙醇试剂中球磨分散1‑1.5h，再添加粒径为1‑1.5μm、比表面积为3.0m2/g的AlN粉体，湿法球磨2‑3h，制成浆料；浆料在120‑140℃干燥1‑2h，过60‑80目筛后，放入马弗炉中，在空气气氛中、640‑680℃温度下煅烧20‑30min，煅烧后的粉体过60‑80目筛，再添加成形剂，在90‑100℃水浴锅内均匀加热，每2‑3 min搅拌一次，共水浴50‑60 min；待冷却到室温后再过60‑80目筛，混合粉采用单向压制方式成形，580‑600℃保温20‑30min，排胶，最后烧结，随炉冷却得到高热导率AlN陶瓷基板。