基于电荷再利用和位线分级的低功耗8管SRAM芯片设计方法

摘要

本发明涉及一种基于电荷再利用和位线分级的低功耗8管SRAM芯片设计方法，包括以下步骤：1)在一块SRAM中使用两个不同的8管存储单元(N-type和P-type)，两个不同的8管存储单元的写位线之间通过四个开关连接；2)写操作时，在8管SRAM单元的写位线上进行位线电荷再利用技术，由两个不同的8管存储单元共同完成写操作；3)读操作时，两个不同的8管存储单元分别进行相同的读操作，该读操作采用读位线分级的结构，由读位线和其子位线共同完成读操作。与现有技术相比，本发明具有能耗低、稳定性高、性能佳、结构简单等优点。

主权项

一种基于电荷再利用和位线分级的低功耗8管SRAM芯片设计方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在一块SRAM中选用两个不同的8管存储单元，两个不同的8管存储单元的写位线之间通过四个开关连接；2)写操作时，在8管SRAM单元的写位线上进行位线电荷再利用技术，由两个不同的8管存储单元共同完成写操作；3)读操作时，两个不同的8管存储单元分别进行相同的读操作，该读操作采用读位线分级的结构，由读位线和其子位线共同完成读操作。