发明名称 |
CHIPBAUGRUPPE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER CHIPBAUGRUPPE |
摘要 |
<p>Es wird eine Chipbaugruppe (310) bereitgestellt, wobei die Chipbaugruppe (310) Folgendes enthält: eine erste Verkapselungsstruktur (202); eine über der ersten Verkapselungsstruktur (202) gebildete erste Passivierungsschicht (224) und eine über der ersten Passivierungsschicht (224) gebildete erste elektrisch leitende Schicht (234); mindestens einen über der ersten elektrisch leitenden Schicht (234) und der Passivierungsschicht (224) angeordneten Chip (242), wobei mindestens eine Chipkontaktstelle (243) die erste elektrisch leitende Schicht (234) kontaktiert; mindestens einen in der ersten Verkapselungsstruktur (202) gebildeten Hohlraum (2112), wobei mindestens ein Hohlraum (2112) einen Abschnitt der mindestens eine Chipkontaktstelle (243) bedeckenden ersten Passivierungsschicht (224) exponiert; eine auf der ersten Verkapselungsstruktur (202) aufgebrachte und mindestens einen Hohlraum (2112) bedeckende zweite Verkapselungsstruktur (2116), wobei eine Kammerzone (2118) über mindestens einer Chipkontaktstelle (243) durch mindestens einen Hohlraum (2112) und die zweite Verkapselungsstruktur (2116) definiert wird; wobei die zweite Verkapselungsstruktur (2116) einen Einlass (2122) und einen Auslass (2124), die mit der Kammerzone (2118) verbunden sind, enthält, wobei der Einlass (2122) und der Auslass (2124) einen Zufluss und einen Abfluss von wärmeableitendem Material in die und aus der Kammerzone (2118) steuern.</p> |
申请公布号 |
DE102013107787(A1) |
申请公布日期 |
2014.01.23 |
申请号 |
DE201310107787 |
申请日期 |
2013.07.22 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
BREYMESSER, ALEXANDER;BROCKMEIER, ANDRE;KNABEL, MICHAEL;MEYER, URSULA;SANTOS RODRIGUEZ, FRANCISCO JAVIER;VON KOBLINSKI, CARSTEN |
分类号 |
H01L23/46;H01L21/50;H01L23/28;H01L23/48;H01L25/04 |
主分类号 |
H01L23/46 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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