| 摘要 |
Beschrieben wird ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements. Das Halbleiterbauelement umfasst: einen Halbleiterkörper (100); in dem Halbleiterkörper (100): ein Sourcegebiet (13), ein Bodygebiet (14) und ein Driftgebiet (11) mit einem ersten Driftgebiet (111) und einem zweiten Driftgebiet (112), wobei das Sourcegebiet (13) und das Driftgebiet (11) in einer vertikalen Richtung des Halbleiterkörpers (100) beabstandet sind, wobei das Bodygebiet (14) zwischen dem Sourcegebiet (13) und dem Driftgebiet (11) angeordnet ist und wobei der zweite Driftgebietabschnitt (112) in der vertikalen Richtung des Halbleiterkörpers an den ersten Driftgebietabschnitt (111) angrenzt; eine zu dem Bodygebiet (14) benachbarte und durch ein Gatedielektrikum (22) dielektrisch von dem Bodygebiet (14) isolierte Gateelektrode; ein Diodengebiet (15) eines zu dem Halbleitertyp des Driftgebiets (11) komplementären Halbleitertyps, wobei das Driftgebiet (15) in dem Driftgebiet (11) und in einer vertikalen Richtung des Halbleiterkörpers (100) beabstandet zu der Gateelektrode (21) angeordnet ist; eine Sourceelektrode (30), die elektrisch an das Sourcegebiet (13), das Bodygebiet (14) und das Diodengebiet (15) angeschlossen ist, wobei wenigstens ein erster Abschnitt der Sourceelektrode in einem Graben angeordnet ist, der sich benachbart zu dem Sourcegebiet (13), dem Bodygebiet (14) und einem ersten Abschnitt (111) des Driftgebiets (11) an das Diodengebiet (15) erstreckt. |
