| 发明名称 | 一种半导体电路P+外延图形的转移对准光刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体电路P+外延图形的转移对准光刻方法，包括以下步骤：(1)在双面光刻机对硅片正面用Ⅰ号掩膜版光刻电路图形及对准标记a；(2)将正面光刻的图形中进行砷注入，形成N＋图形及对准标记a；(3)用Ⅱ号掩膜版在硅片1的背面光刻对准标记b；（4）在硅片正面生长P-外延层；（5）将硅片1背面的对准标记b与Ⅲ号掩膜版对准标记对准，用Ⅲ号掩膜版在P-外延层上光刻电路图形。本发明的优点在于：通过将硅片正面对准符号转移到背面的技术，以背面对准符号作为前步图形套刻的参考点，解决P+埋层外延图形漂移的对准问题，套刻精度能达到2.5µm。 | ||
| 申请公布号 | CN103531510A | 申请公布日期 | 2014.01.22 |
| 申请号 | CN201310505350.9 | 申请日期 | 2013.10.24 |
| 申请人 | 华东光电集成器件研究所 | 发明人 | 李苏苏;丁继洪;陈博;姜楠;吕东锋;于航;简崇玺;张明浩;陈计学;郭群英 |
| 分类号 | H01L21/68(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I;G03F9/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/68(2006.01)I |
| 代理机构 | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人 | 杨晋弘 |
| 主权项 | 一种半导体电路P+外延图形的转移对准光刻方法，其特征在于包括以下步骤：（1）、在双面光刻机中，在硅片的正面用Ⅰ号掩膜版光刻电路图形及对准标记a；（2）、将正面光刻的图形中进行砷注入，形成N＋图形及对准标记a；（3）、在双面光刻机中，用Ⅱ号掩膜版在硅片的背面光刻对准标记b，刻蚀对准标记浅腔，即将正面对准标记a转移到背面；（4）、腐蚀硅片表面的硅氧化层，在硅片正面生长P‑外延层；（5）、双面光刻机中，将硅片背面的对准标记b与Ⅲ号掩膜版对准标记对准，用Ⅲ号掩膜版在P‑外延层上光刻电路图形。 | ||
| 地址 | 233042 安徽省蚌埠市经济开发区财院路10号 | ||