发明名称 |
接触窗的形成方法 |
摘要 |
本发明公开一种接触窗的形成方法,其包括以下步骤:提供基底;形成图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层,其中非结晶碳层或旋涂式涂布材料层的两侧露出基底的表面;在基底上形成层间介电层;移除层间介电层的一部分以露出经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层;移除经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层而形成开口;以及对开口填充导电材料而形成接触窗。 |
申请公布号 |
CN103531532A |
申请公布日期 |
2014.01.22 |
申请号 |
CN201210249302.3 |
申请日期 |
2012.07.18 |
申请人 |
力晶科技股份有限公司 |
发明人 |
谢荣源;陈仕锡;韩敬仁 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
陈小雯 |
主权项 |
一种接触窗的形成方法,包括:提供一基底;形成图案化的一非结晶碳层或旋涂式涂布材料层,其中该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层的两侧露出该基底的表面;在该基底上形成一层间介电层;移除该层间介电层的一部分以露出经图案化的该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层;移除经图案化的该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层而形成一开口;以及对该开口填充一导电材料而形成一接触窗。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |