| 发明名称 | 具有气隙的半导体封装结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有气隙的半导体封装结构及其形成方法。封装结构（10、40）包括具有顶面（13、90）和底面（11、92）的封装衬底（12、75）。半导体管芯（18、78）具有顶面（19、94）和底面（17、96）。半导体管芯被安装到封装衬底。半导体管芯的底面与封装衬底的顶面相邻。气隙（29、74）在封装衬底的底面与半导体管芯的底面之间。 | ||
| 申请公布号 | CN103531548A | 申请公布日期 | 2014.01.22 |
| 申请号 | CN201310264977.X | 申请日期 | 2013.06.28 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | T·S·尤林;B·J·卡彭特;B·P·维尔克森 |
| 分类号 | H01L23/31(2006.01)I;H01L23/28(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 陈华成 |
| 主权项 | 一种封装结构，包括：具有顶面和底面的封装衬底；以及具有顶面和底面的半导体管芯；其中：所述半导体管芯被安装到所述封装衬底；所述半导体管芯的底面与所述封装衬底的顶面相邻；以及气隙在所述封装衬底的底面与所述半导体管芯的底面之间。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||