| 发明名称 | 包括边缘区域的半导体器件和制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及包括边缘区域的半导体器件和制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括包含第一导电性类型的第一掺杂剂的掺杂层。在掺杂层中，在围绕半导体器件的元素区域的边缘区域中形成反掺杂区。反掺杂区包含至少第一掺杂剂和第二导电性类型的第二掺杂剂，该第二导电性类型与第一导电性类型相反。第二掺杂剂的浓度为第一掺杂剂的浓度的至少20%且至多100%。反掺杂区中的掺杂剂减少载流子迁移率和少数载流子寿命，使得增加了半导体器件的动态鲁棒性。 | ||
| 申请公布号 | CN103531632A | 申请公布日期 | 2014.01.22 |
| 申请号 | CN201310273821.8 | 申请日期 | 2013.07.02 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | F.希尔勒;A.毛德;H-J.舒尔策 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 马永利;刘春元 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：掺杂层，其包含第一导电性类型的第一掺杂剂；以及反掺杂区，其形成在围绕半导体器件的元素区域的边缘区域中的掺杂层中，其中反掺杂区包含至少第一掺杂剂和第二导电性类型的第二掺杂剂，该第二导电性类型与第一导电性类型相反，其中第二掺杂剂的浓度为第一掺杂剂的浓度的至少20%和至多100%。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||