一种高频晶界层陶瓷电容器介质及其制备方法

摘要

本发明涉及无机非金属材料技术领域，特指一种高频晶界层陶瓷电容器介质及其制备方法，配方组成包括（重量百分比）：(Sr0.96Ba0.04)TiO388-96%，Ba(Li1/4Nb3/4)O30.1-3%，Dy2O30.1-4%，SiO20.1-2.0%，Al2O30.1-2.5%，SrCO30.03-2.0%，ZnO-Li2O-Bi2O3玻璃粉（ZLB）0.1-2.0%，CuO0.01-2%。本发明采用常规的陶瓷电容器介质制备方法和一次烧结工艺方法，利用电容器陶瓷普通化学原料，制备得到无铅、无镉的高频晶界层陶瓷电容器介质，还能降低电容器陶瓷的烧结温度，该介质适合于制备单片陶瓷电容器和单层片式陶瓷电容器。

主权项

一种高频晶界层陶瓷电容器介质，其特征在于所述介质组成按照重量百分比计算为：(Sr0.96Ba0.04)TiO3 88‑96%，Ba(Li1/4Nb3/4)O3 0.1‑3%，Dy2O3 0.1‑4%，SiO2 0.1‑2.0%，Al2O30.1‑2.5%，SrCO30.03‑2.0%，ZnO‑Li2O‑Bi2O3玻璃粉0.1‑2.0%，CuO0.01‑2%；其中(Sr0.96Ba0.04)TiO3、Ba(Li1/4Nb3/4)O3和ZnO‑Li2O‑Bi2O3玻璃粉分别是采用常规的化学原料以固相法合成。