发明名称 |
一种倒装晶片的LED结构 |
摘要 |
本发明一种倒装晶片的LED结构涉及LED的结构;以传统蓝宝石基板(Al2O3)为衬底(14)在衬底上设置CaN缓冲层(13);CaN缓冲层(13)再依次向外设置N型CaN层(12),N型CaAlN层(9)、N型电极(11),N型CaAlN层(9)向上设置MQW多量子阱层(10),CaInN层(8),CaN层(7),P型CaAlN层(6),P型CaN层(5),电流扩散反光层(4);在电流扩散反光层(4)上设置AlN层(3),P型电极(1);在AlN层(3)上设置热沉焊接极(2);本发明省去引线焊接工艺,使高导热的热流通道与电流通道独立,实现了热电分离;从而避免了电热相互影响,电流热量叠加造成晶片热负荷增加,因此提高了发光二极管的一致性和可靠性。 |
申请公布号 |
CN103531702A |
申请公布日期 |
2014.01.22 |
申请号 |
CN201210225514.8 |
申请日期 |
2012.07.03 |
申请人 |
深圳市蓝科电子有限公司 |
发明人 |
江淳民;胡启胜;马洪毅 |
分类号 |
H01L33/62(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/62(2010.01)I |
代理机构 |
深圳市兴力桥知识产权事务所 44246 |
代理人 |
董洪波;潘士雅 |
主权项 |
一种倒装晶片的LED结构,其特征在于:以传统蓝宝石基板(Al2O3)为衬底(14)在衬底上设置CaN缓冲层(13);CaN缓冲层(13)再依次向外设置N型CaN层(12),N型CaAlN层(9)、N型电极(11),N型CaAlN层(9)向上设置MQW多量子阱层(10),CaInN层(8),CaN层(7),P型CaAlN层(6),P型CaN层(5),电流扩散反光层(4);在电流扩散反光层(4)上设置AlN层(3),P型电极(1);在AlN层(3)上设置热沉焊接极(2);倒置晶片由上植球(15)与焊接基板(18)上的P型电极焊盘(17)、N型电极焊盘(16)、热流通道焊盘(23)P型电极穿孔沉铜(21)、N型电极穿孔沉铜(19)、热流穿孔沉铜(20)、覆铜线路(22),热流穿孔沉铜(20)连接。 |
地址 |
518103 广东省深圳市宝安区福永镇福园一路高新技术工业园3栋 |