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发明名称
成膜装置及使用其之方法
摘要
本发明揭示一种将一成膜装置用于一半导体制程之方法,其包括设定一闲置态:在该成膜装置之一反应室中未容纳产物目标基板;且随后藉由使自由基作用于该反应室之内表面上来执行移除该反应室之内表面中存在之污染物的净化制程。该等自由基系藉由活化含有氧气及氢气元素之净化制程气体而产生。
申请公布号
TWI424105
申请公布日期
2014.01.21
申请号
TW097116367
申请日期
2008.05.02
申请人
东京威力科创股份有限公司 日本
发明人
冈田充弘;高木聪;孙亮;富田正彦;户根川大和;西村俊治
分类号
C30B25/00
主分类号
C30B25/00
代理机构
代理人
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址
日本
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