| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
| 摘要 |
本发明提供一种半导体装置及其制造方法，上述半导体装置的制造方法包括提供一半导体基板；于上述半导体基板中形成一沟槽，其中上述沟槽的一底面具有一第一结晶面方向，且上述沟槽的一侧面具有一第二结晶面方向；进行一磊晶制程，于上述沟槽中成长一半导体材料，其中上述磊晶制程利用一蚀刻成分，且其中上述第一结晶面方向上的一第一成长速率不同于上述第二结晶面方向的一第二成长速率。 |
| 申请公布号 |
TWI424474 |
申请公布日期 |
2014.01.21 |
| 申请号 |
TW099131794 |
申请日期 |
2010.09.20 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
发明人 |
许俊豪 |
| 分类号 |
H01L21/20;H01L21/336;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
