记忆体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种记忆体装置的制造方法。该记忆体装置的制造方法包含：提供复数之闸极结构形成于一基板上，其中该闸极结构包含一覆盖层配置于该闸极结构之上表面，且每两相邻闸极结构系被一间隙所分隔；毯覆性形成一多晶矽层于该基板之上以填满该间隙；对该多晶矽层进行一平坦化制程，形成一多晶矽插塞；以及在该平坦化制程后进行一氧化制程，将一部份该多晶矽插塞以及一位于该闸极结构上之残留多晶矽层转换成氧化矽。