非晶矽元件之制造方法

主权项

1.一半导体制造方法包括..在负压下于基质上形成半导体层的步骤;在负压下,对半导体层完成光处理的步骤;供给中和剂至平导体层附近的步骤。2.请求专利部份第1.项的方法,其中该药剂是从卤素,惰性气体,氧或氮中选出。3.请求专利部份第2.项的方法,其中的光处理在压力低于l0-3torr下完成。4.请求粪利部份第3.项的方法,其中的光处理是在温度低于5OC下完成。