| 摘要 |
Procédé d'élaboration d'un masque de photolithographie à partir d'un ensemble de cellules initiales de masque agencées pour former un masque initial, ledit ensemble comprenant au moins une première et une deuxième cellule de masque initiale ayant au moins un élément de masque en commun au sein d'une région initiale du masque initial, ledit procédé comprenant- une élaboration d'une première cellule de masque modifiée et d'une deuxième cellule de masque modifiée (E11, E12) comportant des traitements OPC, une comparaison (E20) de la position dudit élément de masque en commun entre la première cellule de masque modifiée et la deuxième cellule de masque modifiée et, si le résultat de ladite comparaison est supérieur à un seuil, une élaboration d'une nouvelle région de masque (E30) comportant un traitement de correction optique de proximité sur la région initiale, et une élaboration dudit masque de photolithographie à partir d'au moins la nouvelle région de masque. |
