用于在脱离期间减少电势峰值的方法和装置

摘要

本发明提供了一种通过减少在衬底脱离期间电势峰值从ESC移走衬底的等离子体处理室的衬底脱离系统。

主权项

一种从等离子体处理室中的静电卡盘上脱离衬底的方法，所述方法包括：提供工艺气体进入所述室中；激发所述工艺气体为等离子体状态；维持所述等离子体室处于真空压和低RF功率以在2mm或者更大厚度的所述衬底上方产生等离子体鞘；提升处于所述静电卡盘的支撑表面上方的所述衬底至所述等离子体鞘之内的中部提升位置而不引起等离子体的不稳定且保持所述衬底处于所述中部提升位置；熄灭所述等离子体；和提升所述中部提升位置上的所述衬底至上部位置，在所述上部位置所述衬底能够从所述等离子体室中移出。