一种NAND器件的制造方法

摘要

本发明涉及一种NAND器件的制造方法。所述方法包括：提供半导体衬底，并在所述衬底上方沉积低K材料或者超低K材料；在低K材料或者超低K材料上方由下往上依次形成第一氧化物层、第一金属掩膜层、第二氧化物掩膜层、第二金属掩膜层和第一图案化掩膜材料层；蚀刻第一图案化掩膜材料层，以形成间隔图案；在所述间隔图案和所述第二金属掩膜层上方沉积第二图案化掩膜材料层；蚀刻第二图案化掩膜材料层，以在所述间隔图案的侧壁形成间隔壁；蚀刻去除所述间隔图案；图案化所述第二金属掩膜层；蚀刻去除所述间隔壁，同时图案化所述第二氧化物掩膜层；图案化所述第一金属掩膜层，同时去除所述图案化了的所述第二金属掩膜层。本发明所述方法更加容易控制。

主权项

一种NAND器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，并在所述衬底上方沉积低K材料或者超低K材料；在所述低K材料或者超低K材料上方由下往上依次形成第一氧化物层、第一金属掩膜层、第二氧化物掩膜层、第二金属掩膜层和第一图案化掩膜材料层；蚀刻所述第一图案化掩膜材料层，以形成间隔图案；在所述间隔图案和所述第二金属掩膜层上方沉积第二图案化掩膜材料层；蚀刻所述第二图案化掩膜材料层，以在所述间隔图案的侧壁形成间隔壁；蚀刻去除所述间隔图案；以所述间隔壁为掩膜，图案化所述第二金属掩膜层；蚀刻去除所述间隔壁，同时图案化所述第二氧化物掩膜层；以所述图案化了所述第二氧化物掩膜层为掩膜，图案化所述第一金属掩膜层，同时去除所述图案化了的所述第二金属掩膜层。