发明名称 |
一种周期性结构的绒面透明导电薄膜及其制备方法 |
摘要 |
一种周期性结构的绒面透明导电薄膜,包括玻璃衬底层、起模板作用的第一层ZnO薄膜和起修饰作用的第二层ZnO薄膜并依次形成叠层结构,第一层ZnO薄膜厚度为300-1500nm,第二层ZnO薄膜的厚度为400-1000nm,构成具有散射作用的周期性结构绒面透明导电薄膜;其制备方法:利用水浴方法组装PS微球,用O2等离子刻蚀PS微球,利用PS微球的模板作用,得到具有周期性结构的陷光ZnO透明导电薄膜。本发明的优点是:制备的ZnO薄膜具有良好的陷光效果,作为前电极用于薄膜太阳电池,对400-1100nm电池所能利用的波长范围内有良好散射作用,可增加入射光在硅基薄膜电池中的光程,提高光利用率。 |
申请公布号 |
CN103515484A |
申请公布日期 |
2014.01.15 |
申请号 |
CN201310416643.X |
申请日期 |
2013.09.13 |
申请人 |
南开大学 |
发明人 |
张晓丹;梁雪娇;赵颖;梁俊辉;高海波;黄茜;侯国付;许盛之;魏长春 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 |
代理人 |
侯力 |
主权项 |
一种周期性结构的绒面透明导电薄膜,其特征在于:包括衬底层、起模板作用的第一层ZnO薄膜和起修饰作用的第二层ZnO薄膜并依次形成叠层结构,衬底层为硬质衬底玻璃,ZnO薄膜为掺杂氧化锌n型半导体材料,包括ZnO:H、 ZnO:Al、ZnO:Ga、ZnO:B、ZnO:H、ZnO:Mo和ZnO:W中的至少一种,其中第一层ZnO薄膜厚度为300‑1500nm,第二层ZnO薄膜的厚度为400‑1000nm,构成具有宽光谱散射作用的周期性结构的绒面透明导电薄膜,周期性结构的ZnO绒面透明导电薄膜的均方根粗糙度为30‑250 nm。 |
地址 |
300071 天津市南开区卫津路94号 |