集成电路元件的制造方法

摘要

本发明提供集成电路元件的制造方法，在一实施例中，此方法包括提供基底，于基底之上形成包含第一伪栅极的栅极结构，从栅极结构移除第一伪栅极形成沟槽，形成界面层、高介电常数介电层与覆盖层，部分地填充沟槽，于覆盖层之上形成第二伪栅极，其中第二伪栅极填充沟槽，以及以金属栅极置换第二伪栅极。在一实施例中，此方法包括提供基底，在基底之上形成界面层，在界面层之上形成高介电常数介电层，在高介电常数介电层之上形成蚀刻停止层，在蚀刻停止层之上形成包含低热预算硅层的覆盖层，在覆盖层之上形成伪栅极层，形成栅极结构，以及进行栅极置换工艺。

主权项

一种集成电路元件的制造方法，包括：提供一基底；于该基底之上形成一栅极结构，包含一第一伪栅极；从该栅极结构移除该第一伪栅极，形成一沟槽；形成一界面层、一高介电常数介电层与一覆盖层，部分地填充在该沟槽内；形成一第二伪栅极于该覆盖层之上，其中该第二伪栅极填充该沟槽；以及以一金属栅极置换该第二伪栅极，其中以一金属栅极置换该第二伪栅极的步骤包括：在一第一区以一第一栅极置换一第一栅极结构的该第二伪栅极；以及在一第二区以一第二栅极置换一第二栅极结构的该第二伪栅极，其中以该第一栅极置换该第一栅极结构的该第二伪栅极，以及以该第二栅极置换该第二栅极结构的该第二伪栅极的步骤包括形成具有一第一工作函数的该第一栅极，以及形成具有一第二工作函数的该第二栅极。