| 发明名称 | 垂直金属/绝缘层/金属MIM电容及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种垂直金属/绝缘层/金属MIM电容，包括：在绝缘层内形成的两个相互平行的凹槽，该凹槽停止在某一下层金属之上；所述两个凹槽之间的绝缘层构成所述电容的绝缘层；在该电容的绝缘层两侧分别形成的一金属层，该金属层构成所述电容的两个金属导电极，形成完整的垂直金属/绝缘层/金属MIM电容结构；在位于所述金属层下端的所述某一下层金属引出所述电容的两端电极。本发明还公开了一种所述垂直金属/绝缘层/金属MIM电容的制造方法。当制作电容量比较大的电容时，采用本发明能避免加大芯片面积，且能保持电容的精度。 | ||
| 申请公布号 | CN103515350A | 申请公布日期 | 2014.01.15 |
| 申请号 | CN201210202078.2 | 申请日期 | 2012.06.18 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 刘俊 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 戴广志 |
| 主权项 | 一种垂直金属/绝缘层/金属MIM电容，其特征在于，包括：在绝缘层内形成的两个相互平行的凹槽，该凹槽停止在某一下层金属之上；所述两个凹槽之间的绝缘层构成所述电容的绝缘层；在该电容的绝缘层两侧分别形成的一金属层，该金属层构成所述电容的两个金属导电极，形成完整的垂直金属/绝缘层/金属MIM电容结构；在位于所述金属层下端的所述某一下层金属引出所述电容的两端电极。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||