发出辐射之半导体二极体

摘要

发出辐射之半导体二极体乃特别用于资讯处理系统作为二极体电射器或发光二极体LED。此一发出辐射之半导体二极体包含位于两包覆层之间之活性层，各包覆层包含Ⅲ一Ｖ半导体材料一不同元素之原子，恒具某种程序之次序排列、呈现于至少一子晶格一之混合晶体。一实例乃为 InGaP/InAlGaP二极体雷侧器，此二极体雷射器发射于670nm(毫微米)故高度适合于各种应用。对具高度最大操作温度于给定波长之二极体具有特别需要。依据本发明，活性层半导体材料之组合系经如此选择即此层具有压缩张力，而不同元素之原子则具较少按次序分布至少于活性层之半导体材料，此乃强列减少起动电流、而发射波长则大致保持不变。于一较佳具体实施例中，包覆层之半导体材料之分布亦较少按次序排列，此即改良约束性故而改良起动电流对温度之依从关系。依据本发明，二极体雷射器之最大操作温度乃由于低赸动电流与此起动电流之低温度依从关系而大为增加。

主权项

1.一种包含半导体本体之发出辐射之半导体二极体,具为一导电型之导体基座,至少于第一导电型之第一包覆层,活性层,以及第二导电型之第二包覆层之次序存在于第一导电型,活性层与包覆层各包含Ⅲ-V半导体材料之混合晶体,而不同元素之原子则存在于至少一子晶格,其中活性层之半导体材料之组份乃经如此选择,即此层系在压缩张力下而存在于一子晶格之不同元素之原子乃具较少之次序排列分布至少于活性层之半导体材料。2.根据申请专利范围第1项之发出辐射之半导体二极体,其中分布失序之程度与压缩张力値系以此一方式选择即半导体上极体之发射波长实质上保留不变。3.根据申请专利范围第1项之发出辐射之半导体二极体,其中存在于一子晶格之不同元素之原子亦具较少之次序排列于包覆层之半导体材料。4.根据申请专利范围第1.2或3项之发出辐射之半导体二极体,其中基座包含GaAs,活性层InGaP或InAlGaP,而包覆层InAlGaP则具较活性层为高之铝含量。5.根据申请专利范围第4项之发出辐射之半导体二极体,其中活性层包含具约60原子之铟含量之,及其中该分布大体上完全失序于活性层与包覆层二者。6.根据申请专利范围第1.2或3项之发出辐射之半导体二极体,其中活性层包含至少一量子井层其厚度至少约6nm。7.根据申请专利范围第1.2或3项之发出辐射之半导体二极体,其中基座具偏离(001)方位之方位或相对于(001)方位错误取向于至少6度。8.根据申请专利范围第1.2或3项之发出辐射之半导体二极体,其中AlGaAs之缓冲层经存在于基座与第一包覆层之间。图1示依据本发明发出辐射之半导体二极体之具体实施例之截面;图2与3示图1之发生辐射之半导体二极体于连续制造阶段之截面;以及图4示依据本发明发出辐射之半导体二极体之各种温度之光输出对电流之曲线图绘