发明名称 具有多等级单元的无形成电阻式随机存储器的结构和方法
摘要 本发明提供用于操作多等级电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的方法的一个实施例,该存储器单元具有连接在一起的电流控制器件和RRAM器件。该方法没有“形成”步骤,并且包括通过电流控制器件控制电流等级中的一个将RRAM器件设定为电阻等级中的一个。设定RRAM器件包括对RRAM器件的顶部电极施加第一电压以及对RRAM器件的底部电极施加第二电压。第二电压高于第一电压。本发明还提供了具有多等级单元的无形成电阻式随机存储器的结构和方法。
申请公布号 CN103514947A 申请公布日期 2014.01.15
申请号 CN201310234138.3 申请日期 2013.06.13
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 蔡竣扬;丁裕伟;黄国钦
分类号 G11C11/56(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I 主分类号 G11C11/56(2006.01)I
代理机构 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人 章社杲;孙征
主权项 一种用于操作多等级电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的方法,所述多等级电阻式随机存取存储器单元具有连接在一起的电流控制器件和RRAM器件,所述方法没有“形成”步骤,并且包括通过将所述电流控制器件控制为一个电流等级来将所述RRAM器件设定为一个电阻等级,其中,设定所述RRAM器件包括对所述RRAM器件的顶部电极施加第一电压以及对所述RRAM器件的底部电极施加第二电压,所述第二电压高于所述第一电压。
地址 中国台湾新竹