发明名称 具有静电放电保护结构的光刻掩模版
摘要 本发明提供一种具有静电放电保护特征的光刻掩模版。光刻掩模版可以在透明衬底如熔融石英上由金属结构如铬合金结构形成。掩模版上的一些金属结构对应于当在步进-重复光刻工具中使用该掩模版时加工的集成电路上的晶体管和其他电子器件。这些金属器件结构可能由于处理该掩模版过程中的静电荷积累而易于受到损伤。为了防止损伤,在器件结构附近形成平衡环结构。平衡环结构可以被构建为比器件结构对静电放电更敏感,从而在静电放电的情况下,损伤被限制在不重要的掩模版部分。
申请公布号 CN102272885B 申请公布日期 2014.01.15
申请号 CN200980153284.5 申请日期 2009.10.27
申请人 阿尔特拉公司 发明人 C·T·许;P·J·麦克尔赫尼;J·T·瓦特
分类号 H01L21/027(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I 主分类号 H01L21/027(2006.01)I
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人 赵蓉民
主权项 一种光刻掩模版,其包括:透明衬底;以及在所述透明衬底上的金属图案,其形成至少一个环结构,所述环结构具有由无金属环围绕的实心中央金属区域,其中所述金属图案被配置为形成至少一个器件结构环,并且其中所述至少一个器件结构环在完成的器件中与隔离结构相关联。
地址 美国加利福尼亚