发明名称 蚀刻液及导体图案之形成方法
摘要 本发明提供即使连续或反覆使用,也可以一边维持图案的顶部形状一边进行蚀刻的铜的蚀刻液,和使用其的导体图案之形成方法。本发明的蚀刻液的特征为,是含有铜离子源、酸及水的铜蚀刻液,其中,含有唑和芳香族化合物,所述唑仅具有氮原子作为存在于环内的杂原子,所述芳香族化合物选自酚类和芳香族胺类中之至少一种。另外,本发明的导体图案之形成方法的特征为,使用上述本发明的蚀刻液,将电气绝缘材料(1)上铜层的未被阻蚀剂(3)覆盖的部分进行蚀刻,形成导体图案(2)。
申请公布号 TWI422711 申请公布日期 2014.01.11
申请号 TW097133701 申请日期 2008.09.03
申请人 MEC股份有限公司 日本 发明人 户田健次;高垣爱
分类号 C23F1/18;H05K3/06 主分类号 C23F1/18
代理机构 代理人 桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项
地址 日本
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