记忆体抹除管理系统

摘要

本发明提供一种记忆体抹除管理系统(500)，包含：提供电阻改变记忆体单元(resistive change memory cell)(102)，耦接第一线(line)(118)至该电阻改变记忆体单元(102)，耦接线缓冲器(140)至该第一线(118)，提供耦接至该线缓冲器(140)之电荷储存装置(144)，以及藉由自该电荷储存装置(144)放出电流(204)通过该电阻改变记忆体单元(102)而执行该电阻改变记忆体单元(102)之单一脉冲抹除。