研磨剂、化合物半导体之制造方法及半导体装置之制造方法

摘要

本发明提供一种可良好地维持化合物半导体基板之表面之品质，并且可维持较高之研磨率的研磨剂、使用其之化合物半导体之制造方法及半导体装置之制造方法。研磨剂系用于GaαIn(1-α)AsβP(1-β)(0≦α≦1，0≦β≦1)化合物半导体者；且其包含：硷金属之碳酸盐、硷金属之有机酸盐、氯系氧化剂、以及硷金属之磷酸盐；硷金属之碳酸盐与硷金属之有机酸盐之浓度之和为0.01 mol/L以上、0.02 mol/L以下。化合物半导体之制造方法包括如下步骤：准备GaαIn(1-α)AsβP(1-β)(0≦α≦1，0≦β≦1)化合物半导体；以及使用上述研磨剂，对化合物半导体之表面进行研磨。