| 摘要 |
La présente invention concerne un procédé de programmation ou d'effacement de cellules mémoire d'une mémoire non volatile, comprenant un premier cycle d'effacement ou de programmation comprenant les étapes consistant à i) appliquer (S11) au moins une impulsion d'effacement ou de programmation (Np) à des premières cellules mémoire, ii) déterminer (S14) l'état, effacé ou programmé, des cellules mémoire, et répéter les étapes i) et ii) si les cellules mémoire ne sont pas dans l'état souhaité, et un second cycle d'effacement ou de programmation comprenant l'application d'un nombre prédéterminé d'impulsions d'effacement ou de programmation à des secondes cellules mémoire. |
