发明名称 相移式光罩及其制法
摘要 一个相移式光罩,其能改善欲形成之光阻膜图样之轮廓,藉此达到微图样之简易形成,以制造高积体密度之半导体元件,以及,形成相移式光罩的一种方法。该相移式光罩包含一个透明基体,一个在该透明基体之上,所形成之遮光薄膜图样,该遮光薄膜图样具有各自所需尺寸之交替排列的直线与间隙,在该遮光薄膜图样之上,形成一个第一层相移式薄膜图样,并且提供交替排列之直线与间隙,此第一层相移式薄膜图样具有较遮光薄膜图样为大之直线宽度,以及,在透明基体被第一层相移式薄膜图样的间隙所占据的部份之上,所形成之第二层相移式薄膜图样。
申请公布号 TW321734 申请公布日期 1997.12.01
申请号 TW085107875 申请日期 1996.06.29
申请人 现代电子产业股份有限公司 发明人 相满
分类号 G03F9/00 主分类号 G03F9/00
代理机构 代理人 林镒珠 台北巿长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种相移式光罩包含:一个透明基体;在该透明基体之上形成第一层相移式薄膜图样,该第一层相移式薄膜图样具有各自所需尺寸之交替排列的直线与间隙;在该第一层相移式薄膜图样之上,形成一个遮光薄膜图样,并且提供交替排列之直线与间隙,此遮光薄膜图样具有较第一层相移式薄膜图样为小之直线宽度;以及在透明基体被第一层相移式薄膜图样的间隙所占据的部份之上,所形成之第二层相移式薄膜图样。2.根据申请专利范围第1项所提之相移式光罩,其中之遮光薄膜图样由铬制成。3.根据申请专利范围第1项所提之相移式光罩,其中之第一与第二层相移式薄膜图样由旋敷玻璃膜构成。4.根据申请专利范围第1项所提之相移式光罩,其中之第一与第二层相移式薄膜图样由氧化物薄膜构成。5.根据申请专利范围第1项所提之相移式光罩,其中之第一与第二层相移式薄膜图样由氮化物薄膜构成。6.根据申请专利范围第1项所提之相移式光罩,其中之第一与第二层相移式薄膜图样由固化光阻膜构成。7.一个相移式光罩包含:一个透明基体;在该透明基体之上形成遮光薄膜图样,该遮光薄膜图样具有各自所需尺寸之交替排列的直线与间隙;在该遮光薄膜图样之上形成一个第一层相移式薄膜图样,并且提供交替排列之直线与间隙,此第一层相移式薄膜图样具有较遮光薄膜图样为大之直线宽度;以及在透明基体被第一层相移式薄膜图样的间隙所占据的部份之上,所形成之第二相移式薄膜图样。8.根据申请专利范围第7项所提之相移式光罩,其中之遮光薄膜图样由铬制成。9.根据申请专利范围第7项所提之相移式光罩,其中之第一与第二层相移式薄膜图样由旋敷玻璃膜构成。10.根据申请专利范围第7项所提之相移式光罩,其中之第一与第二层相移式薄膜图样由氧化物薄膜构成。11.根据申请专利范围第7项所提之相移式光罩,其中之第一与第二层相移式薄膜图样由氮化物薄膜构成。12.根据申请专利范围第7项所提之相移式光罩,其中之第一与第二层相移式薄膜图样由固化光阻膜构成。13.形成相移式光罩之方法,包含下列步骤:准备一个透明基体,在此透明基体上,形成第一层相移式薄膜图样,该第一层相移式薄膜图样,其系分别由直线与间隙交替排列成,且具有所需之尺寸;在该第一层相移式薄膜图样之上,形成一层遮光薄膜图样,此遮光薄膜图样,其系分别由交替排列的直线与间隙构成,以此方法,该遮光薄膜图样具有较第一层相移式薄膜图样为小之直线宽度;以及在透明基体被第一层相移式薄膜图样的间隙所占据的部份之上,所形成之第二层相移式薄膜图样,且其具有所需之尺寸。14.根据申请专利范围第13项所提之方法,其中之遮光薄膜图样由铬制成。15.根据申请专利范围第13项所提之方法,其中之第一与第二层相移式薄膜图样由旋敷玻璃膜玻璃薄膜构成。16.根据申请专利范围第13项所提之方法,其中之第一与第二层相移式薄膜图样由氧化物薄膜构成。17.根据申请专利范围第13项所提之方法,其中之第一与第二层相移式薄膜图样由氮化物薄膜构成。18.根据申请专利范围第13项所提之方法,其中之第一与第二层相移式薄膜图样由固化光阻膜构成。19.根据申请专利范围第13项所提之方法,分别在形成第一与第二层相移式薄膜图样以及遮光薄膜图样之步骤中,其系使用一个光阻膜图样的隔离来实现。20.根据申请专利范围第19项所提之方法,其系使用一个E-光束步级器来形成光阻膜图样。图示简单说明:第一图系一张传统相移式光罩的剖面图例;第二图系一张表现电场强度的图,其系依据第一图之相移式光罩位置所绘;第三图系一张表现光源强度的图,其系依据第一图之相移式光罩的位置所绘;第四图系根据本发明之相移式光罩,所绘之剖面图例;第五图系一张表现电场强度的图,其系依据第四图之相移式光罩的位置所绘;第六图系一张表现电场强度的图,其系依据第四图之相移式光罩的位置所绘;以及第七A至七C图系根据本发明,分别说明相移式光罩制法的剖面图。
地址 韩国