| 主权项 |
1.一种处理系统内参数値之间的内插法,其是对应于一输入纵座标,自具有至少一维位址之记忆位置处含有不连续参数値之可定址记忆体装置中推导出一目标参数値,该方法包括用于各维位址的以下步骤:于内容为目标参数値的内容之间判定第一与第二记忆位置位址;将保留于第一位址处的参数値载入一第一暂存器;将保留于第二位址处的参数値载入一第二暂存器;将该第一暂存器之内容自该第二暂存器之内容中减去,以产生一参数差;将该参数差载入一第三暂存器;令该第三暂存器之内容乘以一斜率値,以产生一比例値;将该比例値载入该第二暂存器;及令该第一暂存器之内容加上该第二暂存器之内容,以产生该目标参数値。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一与第二记忆位置位址是藉由以下步骤来判定:令一位标指向保留纵座标値之一部分记忆装置中之一系列记忆位置中的一记忆位置,该等纵座标値与保留于记忆装置之另一部份内的参数値相对应;将输入纵座标载入该第二暂存器;将一保留于由位标所指引之一记忆位置处的第一纵座标载入到该第一暂存器;比较保留于该第一与第二暂存器内之纵座标;若比较的结果未具一预定特性,则令该位标朝一方向移位,以指向下序列中的下一记忆位置;于将保留于序列中下一记忆位置处的下一纵座标载入第一暂存器之后,重复该第一与第二暂存器之比较;若比较结果未具预定侍性,则将一预定値与指向第一纵座标之一记忆位置位址的位标相加,以界定该装置之另部分内的第二记忆位置位址;令该位标朝另一个方向移位一个位址间隔,以界定该装置另部份内的第一记忆位址。3.如申请专利范围第2项所述的方法,其中该斜率値是由以下步骤决定:将序列内该一记忆位置处的纵座标载入该第一暂存器;将序列内前一记忆位置处之纵座标载入该第二暂存器;由该输入的纵座标内减去第一暂存器之内容,以产生一第一纵座标差;将该第一纵座标差载入该第三暂存器;从该第二暂存器之内容中减去该第一暂存器之内容,以产生一第二纵座标差;将该第二纵座标差载入一第四暂存器;令该第三暂存器之内容除以该第四暂存器之内容;及储存除法结果作为该斜率値。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一与第二记忆体位置位址是由以下步骤决定:对应于相邻的参数値,令该输入的纵座标除以纵座标间的一间隔値,以产生一破除数;舍弃该被除数之最不重要的位元,以保留一包含最重要位元的値;令一位标沿一个方向移位相等于该値的多数记忆位置位址,以指向该第一记忆位置位址;及令该位标沿该方向移位一个记忆位置位址,以指向该第二记忆位置位址。5.一种处理系统内参数値之间的内插法,其是对应于一输入纵座标,自具有至少一维位址之记忆位置处含有不连续参数値之可定址记忆体装置中推导出一目标参数値,该方法包括用于各维位址的以下步骤:于内容为目标参数値的内容之间判定第一与第二记忆位置位址;将保留于该第一位址处的参数値载入一第一暂存器;将保留于该第二位址处的参数値载入一第二暂存器;从该第二暂存器之内容中减去该第一暂存器之内容,以产生一参数差;将该参数差载入一第三暂存器;令该第三暂存器之内容乘以一斜率値,以产生一比例値;将该比例値载入该第一暂存器;及从该第二暂存器之内容中减去该第一暂存器之内容,以产生该目标参数値。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该第一与第二记忆位置位址是藉由以下步骤来判定:令一位标指向保留纵座标値之一部分记忆装置中之一系列记忆位置中的一记忆位置,该等纵座标値与保留于记忆装置之另一部份内的参数値相对应;将该输入的纵座标载入该第二暂存器;将一保留于由位标所指引之该一记忆位置处的第一纵座标载入到该第一暂存器;比较保留于该第一与第二暂存器内之纵座标;若比较的结果未具一预定特性,则令该位标朝一方向移位,以指向序列中的下一记忆位置;在将保留于序列中下一记忆位置处的下一纵座标载入该第一暂存器之后,重复该第一与第二暂存器之比较;若比较结果未具预定特性,则加上由指向该第一纵座标之该一记忆位置位址之位标的一预定値,以界定该装置之另部分内的第二记忆位置位址;令该位标沿另一方向移位一个位址间隔,以界定该装置另部份内的第一记忆位址。7.如申请专利范围第6项所述的方法,其中该斜率値是由以下步骤决定:将序列内该一记忆位置处的纵座标载入该第一暂存器;将序列内前一记忆位置处之纵座标载入该第二暂存器;从该输入的纵座标中减去第一暂存器之内容,以产生一第一纵座标差;将该第一纵座标差载入该第三暂存器;从该第二暂存器之内容中减去该第一暂存器之内容,以产生一第二纵座标差;将该第二纵座标差载入一第四暂存器;令该第三暂存器之内容除以该第四暂存器之内容;及储存除法结果作为该斜率値。8.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该第一与第二记忆体位置位址是由以下步骤决定:对应于相邻的参数値,令该输入的纵座标除以纵座标间的一间隔値,以产生一被除数;舍弃该被除数之最不重要的位元,以保留一包含最重要位元的値;令一位标沿一个方向移位相等于该値的多数记忆位置位址,以指向该第一记忆位置位址;及令该位标沿该一方向移位一个记忆位置位址,以指向该第二记忆位置位址。图式简单说明:第一图是为依据本发明之一实施例的一种交换磁阻驱动系统的方块图。第二图是为第一图之ASIC的主要元件的方块图。第三图是为第二图中所示ASIC的某些元件的示意图。第四图是为ASIC的算术逻辑单位。第五图是为一图表,说明一交换的磁阻机中的斩流控制。第六图是为第二图之ASIC的储存器元件的方块图。第七图是为第二图之ASIC的提取元件的方块图。第八图是根据速度値定址之参数値的一维稀疏矩阵的图式性说明。第九图是根据速度与转矩定址之参数値的非规则性二维稀疏矩阵的图式性说明。第十图是根据速度与转矩定址之参数値的规则性稀疏矩阵的图式性说明。 |
