| 发明名称 | 分离式字元线的制程 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种埋入分离式字元线结构的制造方法，包含下列步骤。首先，提供一基板，该基板设有一沟槽。之后，在该沟槽的二个侧壁上，形成具有一第一厚度的二个衬垫。接着，利用一第一绝缘层填满该沟槽至一第一高度。然后，去除该些衬垫。最后，在相邻于该第一绝缘层的该沟槽内，沉积一导电材质至一第二高度。其中，该第一高度系大于该第二高度。 | ||
| 申请公布号 | CN102386139B | 申请公布日期 | 2014.01.08 |
| 申请号 | CN201010571054.5 | 申请日期 | 2010.12.02 |
| 申请人 | 瑞晶电子股份有限公司 | 发明人 | 林志豪 |
| 分类号 | H01L21/8242(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8242(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 任默闻 |
| 主权项 | 一种埋入分离式字元线结构的制造方法，其特征在于，所述方法包含以下步骤：提供一基板，所述基板设有一沟槽；在所述沟槽的二个侧壁上，形成具有一第一厚度的二个衬垫；利用一第一绝缘层填满所述沟槽至一第一高度；去除所述衬垫；以及在相邻于所述第一绝缘层的所述沟槽内，沉积一导电材质至一第二高度；其中，所述第一高度大于所述第二高度。 | ||
| 地址 | 中国台湾台中县 | ||