| 发明名称 | 多晶硅的腐蚀方法和腐蚀装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种多晶硅腐蚀方法和腐蚀装置。所述方法包括步骤:a)把在确定层上具有多晶硅膜的晶片送入处理室;b)在预定范围内调节处理室的气压和温度;c)把包括卤素化合物的腐蚀气体送入处理室中并腐蚀多晶硅膜。所述装置包括:腐蚀气体供应源,周期的与腐蚀气体供应源相连并具有温度控制装置的处理室;和与处理室相连并用于控制处理室的气压状态的高真空管线。 | ||
| 申请公布号 | CN1218986A | 申请公布日期 | 1999.06.09 |
| 申请号 | CN98117482.5 | 申请日期 | 1998.09.04 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 郭奎焕;李辉健;崔百洵;金镇成;全相文 |
| 分类号 | H01L21/3065 | 主分类号 | H01L21/3065 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 谢丽娜 |
| 主权项 | 1．一种多晶硅腐蚀方法，包括以下步骤：a)把在确定层上具有多晶硅膜的晶片输送入处理室中；b)在预定范围内调节处理室的气压和温度；以及c)把含有卤素化合物的腐蚀气体输送入处理室中并腐蚀多晶硅膜。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||