| 主权项 |
1.一种内金属介电层的制造方法,在一具有元件的基底上形成有复数个金属导线,该些金属导线间具有一间隙,包括:对该基底沉积一内金属介电层,该内金属介电层在该间隙中形成一孔洞,该孔洞充满一惰性气体。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该内金属介电层系以高密度电浆化学气相沉积法形成。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该内金属介电层系在该惰性气体环境下形成。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该惰性气体为氮气。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该惰性气体为氩气。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该惰性气体为氦气。7.一种内金属介电层的制造方法,在一具有元件的基底上形成有复数个金属导线,该些金属导线间具有一间隙,包括:在一惰性气体环境下,以高密度电浆化学气相沉积法对该基底沉积一内金属介电层,该内金属介电层在该间隙中形成一孔洞,该孔洞充满该惰性气体。8.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中,该惰性气体为氦气。9.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中,该惰性气体为氩气。10.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中,该惰性气体为氮气。11.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中,该惰性气体为氦气。12.一种内金属介电层的结构,包括:一具有元件之基底;复数个金属导线,形成在该基底之上,该些金属导线间具有一间隙;以及一内金属介电层,该内金属介电层形成在该些金属导线上,且在该间隙中具有一孔洞,该孔洞充满一惰性气体。13.如申请专利范围第12项所述之结构,其中,该内金属介电层以高密度电浆化学气相沉积法进行。14.如申请专利范围第12项所述之结构,其中,该惰性气体为氦气。图式简单说明:第一图系显示一种习知技艺内金属介电层之制造方法。第二图A至第二图D系显示根据本发明较佳实施例内金属介电层之制造方法。 |
