发明名称 抗雷击漏电检测保护电路
摘要 本发明提供一种同时还能防止电磁干扰引起误动作的抗雷击漏电检测保护电路,包括主回路开关、复位按钮、可配合机械结构使主回路开关断开的脱扣线圈、控制脱扣线圈供电回路通断的可控硅、用于检测漏电流的感应线圈、用于检测低电阻故障的自感应线圈以及通过漏电流检测结果驱动可控硅通断的控制芯片,还包括一个与复位按钮联动的模拟供电开关;该漏电检测保护电路包括至少其中之一有一放电尖端或放电弧面的两放电金属片;两放电金属片之间连接有LC滤波网络。本发明的有益效果主要表现在:在漏电流产生时及时断开主回路开关,使用安全;可手动测试漏电保护功能是否完好;放电金属片连接滤波网络,防止电磁干扰造成误动作。
申请公布号 CN102332700B 申请公布日期 2014.01.08
申请号 CN201110270837.4 申请日期 2011.09.14
申请人 黄华道 发明人 张承宇;张敏
分类号 H02H3/32(2006.01)I;H02H9/06(2006.01)I 主分类号 H02H3/32(2006.01)I
代理机构 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 代理人 徐关寿;汤时达
主权项 抗雷击漏电检测保护电路,包括主回路开关(KR2‑1、KR2‑2)、复位按钮、可配合机械结构使主回路开关断开的脱扣线圈(L3)、控制脱扣线圈供电回路通断的可控硅(V4)、用于检测漏电流的感应线圈(L1)、用于检测低电阻故障的自感应线圈(L2)以及通过漏电流检测结果驱动可控硅通断的控制芯片(IC1),其特征在于:还包括一个与复位按钮联动的模拟供电开关(KR‑2),模拟供电开关(KR‑2)为一单刀双掷开关,复位按钮处于脱扣状态或复位状态时,模拟供电开关(KR‑2)的动接触杆C与第二静接触端B相连,为可控硅(V4)提供通路;复位按钮按下瞬间,模拟供电开关(KR‑2)的动接触杆C与第一静接触端A接触产生人为模拟漏电流后自动断开并转为与静接触端B接触闭合状态;该漏电检测保护电路在输入端零线火线之间或穿过自感应线圈(L2)后的零线火线之间或经自感应线圈(L2)交叉连接有一组放电金属片,两放电金属片至少其中之一有一放电尖端或放电弧面,放电尖端或放电弧面朝向另一放电金属片且具有一定间隙;两放电金属片之间连接有LC滤波网络;所述两放电金属片其中之一或二者均具有放电尖端或放电弧面,表面呈波浪形,形成电感。2.根据权利要求1所述的抗雷击漏电检测保护电路,其特征在于:所述两放电金属片均具有放电尖端或放电弧面,表面呈波浪形,形成电感,放电金属片之间具有极间电容,波浪形表面形成的电感和极间电容组成LC滤波网络;所述两放电金属片其中之一或二者均具有放电尖端或放电弧面,表面呈波浪形,形成电感。3.根据权利要求1所述的抗雷击漏电检测保护电路,其特征在于:所述两放电金属片之一具有放电尖端或放电弧面,表面呈波浪形,形成电感;具有放电尖端的放电金属片与另一放电金属片之间具有极间电容;另一放电金属片与相应相线相连或由该相线导体形成。4.根据权利要求1所述的抗雷击漏电检测保护电路,其特征在于:所述可控硅(V4)的阳极和阴极之间连接有一压敏电阻(YM1)。5.根据权利要求4所述的抗雷击漏电检测保护电路,其特征在于:所述可控硅(V4)的阳极和阴极之间还连接有由发光二极管(V3)、电阻(R5)及二极管(V2)组成的工作指示电路,工作指示电路与压敏电阻(YM1)并联。6.根据权利要求1所述的抗雷击漏电检测保护电路,其特征在于:所述电源输出端连接有错误接线指示电路,包括发光二极管(V5)、电阻(R6)二极管(V6)以及与复位按钮联动的常闭开关(KR‑4),复位按钮按下时常闭开关(KR‑4)断开。7.根据权利要求1所述的抗雷击漏电检测保护电路,其特征在于:该漏电检测保护电路还包括一用于定时驱动可控硅导通以使主回路开关(KR2‑1、KR2‑2)断开的定时器(DSQ),该定时器(DSQ)输出端与可控硅(V4)控制端相连,电源端经脱扣线圈(L3)与电源火线相连,接地端与电源零线相连。8.根据权利要求1至7任一项所述的抗雷击漏电检测保护电路,其特征在于:所述放电金属片组中的第一放电金属片一端与输入端零线相连,另一端经模拟供电开关静接触点B、动接触杆C与可控硅(V4)阴极相连;第二放电金属片一端与电源输入端火线相连,另一端经脱扣线圈(L3)与可控硅(V4)阳极相连。9.根据权利要求1至7任一项所述的抗雷击漏电检测保护电路,其特征在于:所述放电金属片组中的第一放电金属片一端与输入端火线相连,另一端经模拟供电开关静接触点B、动接触杆C及脱扣线圈(L3)与可控硅(V4)阳极相连;第二放电金属片一端与电源输入端零线相连,另一端与可控硅(V4)阴极相连。10.根据权利要求1至7任一项所述的抗雷击漏电检测保护电路,其特征在于:所述放电金属片组中的第一放电金属片一端与穿过自感应线圈(L2)的零线相连,另一端与可控硅(V4)阴极相连;第二放电金属片一端与穿过经自感应线圈(L2)的火线相连,另一端经模拟供电开关静接触点B、动接触杆C及脱扣线圈(L3)与可控硅(V4)阳极相连。11.根据权利要求1至7任一项所述的抗雷击漏电检测保护电路,其特征在于:所述放电金属片组中的第一放电金属片一端与穿过自感应线圈(L2)的零线相连,另一端与可控硅(V4)阴极相连;第二放电金属片一端与主回路开关(KR2‑1)后的输出端火线相连,另一端经模拟供电开关静接触点B、动接触杆C及脱扣线圈(L3)与可控硅(V4)阳极相连。12.根据权利要求1至7任一项所述的抗雷击漏电检测保护电路,其特征在于:所述放电金属片组中的第一放电金属片一端与穿过自感应线圈(L2)的零线相连,另一端经模拟供电开关静接触点B、动接触杆C与可控硅(V4)阴极相连;第二放电金属片一端与穿过自感应线圈(L2)的火线相连,另一端经脱扣线圈(L3)与可控硅(V4)阳极相连。13.根据权利要求1至7任一项所述的抗雷击漏电检测保护电路,其特征在于:所述放电金属片组中的第一放电金属片一端与穿过自感应线圈(L2)的火线相连,另一端经脱扣线圈(L3)与可控硅(V4)阳极相连;第二放电金属片一端与主回路开关(KR2‑2)后的输出端零线相连,另一端经模拟供电开关静接触点B、动接触杆C与可控硅(V4)阴极相连。14.根据权利要求1至7任一项所述的抗雷击漏电检测保护电路,其特征在于:所述放电金属片组中的第一放电金属片一端与穿过自感应线圈(L2)的零线相连,另一端经模拟供电开关静接触点A、动接触杆C与可控硅(V4)阴极相连;第二放电金属片一端与输入端火线相连,另一端经脱扣线圈(L3)与可控硅(V4)阳极相连。15.根据权利要求1至7任一项所述的抗雷击漏电检测保护电路,其特征在于:所述放电金属片组中的第一放电金属片一端与穿过自感应线圈(L2)的火线相连,另一端经模拟供电开关静接触点A、动接触杆C及脱扣线圈(L3)与可控硅(V4)阳极相连;第二放电金属片一端与输入端零线相连,另一端与可控硅(V4)阴极相连。
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