发明名称 |
测定微量铬(Ⅲ)的离子选择性电极及其制备方法和应用 |
摘要 |
本发明公开了一种测定微量铬(Ⅲ)的离子选择性电极及其制备方法和应用。该方法包括以下步骤:S1、合成邻香草醛缩-1,3-二氨基硫脲席夫碱;以及S2、采用掺杂邻香草醛缩-1,3-二氨基硫脲席夫碱的敏感膜试剂制备离子选择性电极。通过合成邻香草醛缩-1,3-二氨基硫脲席夫碱,并采用含有邻香草醛缩-1,3-二氨基硫脲席夫碱的敏感膜试剂制备出测定微量铬(Ⅲ)的离子选择性电极。该工艺操作简单,且采用该方法制备出的离子选择性电极对微量铬(Ⅲ)的离子选择性好、灵敏度高、线性范围宽、检出限低且电极使用寿命长。 |
申请公布号 |
CN103499626A |
申请公布日期 |
2014.01.08 |
申请号 |
CN201310450375.3 |
申请日期 |
2013.09.27 |
申请人 |
神华集团有限责任公司;中国神华煤制油化工有限公司;陕西神木化学工业有限公司 |
发明人 |
朱伟;崔普选 |
分类号 |
G01N27/333(2006.01)I |
主分类号 |
G01N27/333(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
吴贵明;张永明 |
主权项 |
一种测定微量铬(Ⅲ)的离子选择性电极的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、合成邻香草醛缩‑1,3‑二氨基硫脲席夫碱;以及S2、采用掺杂所述邻香草醛缩‑1,3‑二氨基硫脲席夫碱的敏感膜试剂制备所述离子选择性电极。 |
地址 |
100011 北京市东城区安定门西滨河路22号神华大厦 |