发明名称 |
一种低压自愈式并联电容器的脉冲式真空浸渍处理方法 |
摘要 |
本发明公开了一种低压自愈式并联电容器的脉冲式真空浸渍处理方法,先准备好可加温的真空浸渍缸、组装好待浸渍的电容器;再按照三个阶段对电容器进行浸渍处理,第三阶段完成之后,持续持续抽真空保持真空度10Pa,时间为6小时;真空时间过后,向真空浸渍缸内灌注已处理好的浸渍料。本发明减少了原先电容内部无法抽尽的气泡和水气;将原先热处理和真空浸渍两个工艺合二为一,减少了生产周期;改变了预先直接真空热处理加热漫长且电容内部芯组受热不均的现象。 |
申请公布号 |
CN103500670A |
申请公布日期 |
2014.01.08 |
申请号 |
CN201310402666.5 |
申请日期 |
2013.09.07 |
申请人 |
芜湖市金诚电子有限责任公司 |
发明人 |
陈肥生;罗运林;史贤豹;叶小虎;王明明 |
分类号 |
H01G13/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01G13/04(2006.01)I |
代理机构 |
安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 |
代理人 |
余成俊 |
主权项 |
一种低压自愈式并联电容器的脉冲式真空浸渍处理方法,其特征在于,先准备好可加温的真空浸渍缸、组装好待浸渍的电容器;再按照如下三个阶段对电容器进行浸渍处理: 第一阶段: (1)将组装好待浸渍的电容器放入真空浸渍缸; (2)将真空浸渍缸加温至45‑50℃保持1小时; (3)加温时间过后持续抽真空保持真空浸渍缸真空度为10Pa,时间为1小时; 第二阶段: (4)真空时间过后,破真空至标准大气压下,真空浸渍缸加温至75‑80℃保持1小时; (5)加温时间过后持续抽真空保持真空浸渍缸真空度为10Pa,时间为1小时; 第二阶段循环2次; 第三阶段: (6)第二阶段完成之后,破真空至标准大气压下,真空浸渍缸加温至100‑105℃保持1小时; (7)加温时间过后持续抽真空保持真空浸渍缸真空度为10Pa,时间为1小时; 第三阶段循环4次; (8)第三阶段完成之后,持续持续抽真空保持真空度10Pa,时间为6小时;(9)真空时间过后,向真空浸渍缸内灌注已处理好的浸渍料;(10)灌注浸渍料后保持浸渍缸温度80‑85℃,持续真空度10Pa,时间为6小时;(11)处理时间完成后,破真空,抽回浸渍料,取出电容器。 |
地址 |
241080 安徽省芜湖市三山经济开发区磨山路2号 |