| 发明名称 | 调节基于金属纳米结构的透明导体的功函数的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及通过在单个金属纳米结构上形成偶极表面层来调节基于金属纳米结构的导电膜的功函数的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103503191A | 申请公布日期 | 2014.01.08 |
| 申请号 | CN201280011724.5 | 申请日期 | 2012.03.02 |
| 申请人 | 凯博瑞奥斯技术公司 | 发明人 | 弗络瑞恩·普舍尼茨卡 |
| 分类号 | H01L51/52(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I;C09D5/24(2006.01)I;C09D7/12(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I;H01B1/02(2006.01)I;H01B1/22(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;B82Y10/00(2006.01)I;H05K1/09(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人 | 王达佐;阴亮 |
| 主权项 | 调整基于金属纳米结构的导电膜的功函数的方法，所述方法包括：提供多个金属纳米结构，各个金属纳米结构具有外表面；以及在所述金属纳米结构的所述外表面上形成偶极表面层，其中所述偶极表面层包括多个偶极配位体。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||