| 发明名称 | 电子设备用铜合金、电子设备用铜合金的制造方法、电子设备用铜合金塑性加工材料、及电子设备用组件 | ||
| 摘要 | 本发明的铜合金的一方式以3.3原子%以上且小于6.9原子%的范围含有Mg，且分别以0.001原子%以上0.15原子%以下的范围至少含有Cr及Zr中的任一种或两种，并且剩余部分为Cu及不可避免的杂质，将Mg的浓度设为A原子%时，导电率σ（%IACS）满足以下式（1）。σ≤｛1.7241/（-0.0347×A2+0.6569×A+1.7）｝×100……（1）。该铜合金的制造方法的一方式具备将具有所述铜合金组成的铜材加热至300℃以上900℃以下的温度的工序、以200℃/min以上的冷却速度将加热的铜材淬冷至200℃以下的工序、及对淬冷的铜材进行加工的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN103502487A | 申请公布日期 | 2014.01.08 |
| 申请号 | CN201280022058.5 | 申请日期 | 2012.05.30 |
| 申请人 | 三菱综合材料株式会社 | 发明人 | 牧一诚;伊藤优树 |
| 分类号 | C22C9/00(2006.01)I;B21B3/00(2006.01)I;C22F1/08(2006.01)I;H01B1/02(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;C22F1/00(2006.01)I | 主分类号 | C22C9/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 康泉;王珍仙 |
| 主权项 | 一种电子设备用铜合金，其特征在于，以3.3原子%以上且小于6.9原子%的范围含有Mg，且分别以0.001原子%以上0.15原子%以下的范围至少含有Cr及Zr中的任一种或两种，并且剩余部分为Cu及不可避免的杂质，将Mg的浓度设为A原子%时，以%IACS表示的导电率σ满足以下式（1），σ≤｛1.7241/（‑0.0347×A2+0.6569×A+1.7）｝×100……（1）。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||