发明名称 存储器单元、形成存储器单元的方法及形成存储器阵列的方法
摘要 一些实施例包括在一对电极之间具有多个可编程材料结构的存储器单元。所述可编程材料结构中的一者具有第一边缘,且所述可编程材料结构中的另一者具有接触所述第一边缘的第二边缘。一些实施例包括形成存储器单元阵列的方法。在底部电极上方形成第一可编程材料段。所述第一可编程材料段沿着第一轴延伸。在所述第一可编程材料段上方形成第二可编程材料线,且所述第二可编程材料线经形成以沿着与所述第一轴相交的第二轴延伸。所述第二可编程材料线具有接触所述第一可编程材料段的上部表面的下部表面。在所述第二可编程材料线上方形成顶部电极线。
申请公布号 CN103503142A 申请公布日期 2014.01.08
申请号 CN201280017915.2 申请日期 2012.03.06
申请人 美光科技公司 发明人 刘峻;约翰·K·查胡瑞
分类号 H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I 主分类号 H01L27/115(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 孙宝成
主权项 一种存储器单元,其包含直接在一对电极之间的可编程材料且经配置以具有不直接接触所述电极中的任一者的切换体积;其中所述可编程材料包含一对可编程材料板,所述对可编程材料板沿着所述板的边缘彼此邻近,且其中所述切换体积沿着所述邻近边缘的界面。
地址 美国爱达荷州