一种柔性有机阻变存储器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种柔性有机阻变存储器及其制备方法，属于集成电路技术领域。该器件采用聚对二甲苯聚合物膜为衬底，衬底上为MIM结构的阻变存储器，阻变存储器的底层和顶层分别为金属电极，阻变存储器的中间功能层为聚对二甲苯聚合物膜。由于用聚对二甲苯聚合物膜同时作为有机阻变存储器的衬底和功能层，可制备出柔韧、可弯曲的有机阻变存储器。本发明柔性有机阻变存储器的关态电流小，性能优异，且工艺成本低。开关态的电流比率高达108，比基于SiO2/Si衬底的聚对二甲苯阻变存储器的开关比率高出3-4个数量级。

主权项

一种柔性有机阻变存储器的制备方法，其步骤包括：1)在基板上淀积一聚对二甲苯聚合物膜作为柔性衬底；2)用惰性等离子对上述聚对二甲苯聚合物膜进行预处理；3)溅射一金属层，光刻、定义底层电极；4)淀积一聚对二甲苯聚合物膜，作为中间功能层；5)用活性等离子对步骤4)淀积的聚对二甲苯功能膜进行轰击；6)溅射一金属层，光刻、剥离定义顶层电极；7)分离柔性衬底与基板；其中：所示步骤1）具体为：采用polymer CVD方法淀积聚对二甲苯聚合物膜，为真空淀积，淀积速度在20‑200nm/min之间，该聚对二甲苯聚合物衬底的厚度为2‑500μm；所示步骤2）具体为：采用氩等离子对聚对二甲苯聚合物膜进行预处理，具体工艺参数为：电压为10‑200V，功率为20‑300W，时间为0.1‑50min；所述步骤4)具体为：采用Polymer CVD方法淀积聚对二甲苯聚合物膜，为真空淀积，淀积速度在1‑10nm/min之间，该聚对二甲苯聚合物中间功能层的厚度为20‑50nm；所述步骤5)具体为：采用氧离子对聚对二甲苯功能膜进行轰击，氧离子浓度在1‑100cm3/min之间。