LDMOS器件及其制造方法

摘要

一种LDMOS器件，包括源区，栅极区，漏区，体区以及掺杂类型与体区相反的漂移区，体区在衬底区之上，漂移区在漏区和体区之间。LDMOS器件还包括绝缘介质层，所述绝缘介质层位于漂移区之上，栅极区之下。采用本发明的结构，可以提高器件的击穿电压，有利于降低导通电阻，使器件的功耗降低。并且在调整制造过程中，调整绝缘介质层和漂移区的结深对其他器件的较小。

主权项

一种LDMOS器件，包括源区，栅极区，漏区，体区以及掺杂类型与体区相反的漂移区，体区在衬底区之上，漂移区在漏区和体区之间，其特征在于：还包括绝缘介质层和缓变沟道掺杂的P‑body区，所述绝缘介质层位于漂移区之上，栅极区之下，所述P‑body区在体区之上，源区之下；所述漂移区的掺杂浓度为1017～1018cm‑3量级，所述漂移区的结深为0.4微米～2.0微米；所述绝缘介质层的厚度在栅氧层厚度到场氧隔离厚度范围内，或栅氧层厚度到浅沟槽隔离厚度范围内。