| 主权项 |
一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在衬底上按顺序形成透明导电膜和第一金属膜；通过使用多级灰度掩模的第一光掩模形成第一抗蚀剂，该第一抗蚀剂中的残留有所述透明导电膜和所述第一金属膜的叠层的部分以及只残留有所述透明导电膜的部分具有不同的厚度；通过使用所述第一抗蚀剂加工所述透明导电膜和所述第一金属膜的形状，形成栅电极；在所述栅电极上按顺序形成绝缘膜、第三半导体膜、第一半导体膜、第二半导体膜、及第二金属膜；通过使用多级灰度掩模的第二光掩模形成第二抗蚀剂，该第二抗蚀剂中的沟道区域形成部以及源区域及漏区域形成部具有不同的厚度；通过使用所述第二抗蚀剂分别加工所述第三半导体膜、所述第一半导体膜、第二半导体膜、及所述第二金属膜的形状，形成第三半导体层、第一半导体层、第二半导体层、及第二金属层；通过对所述第三半导体层、所述第一半导体层、所述第二半导体层、及所述第二金属层进行蚀刻，形成薄膜晶体管的沟道区域、源区域、漏区域、源布线、及漏布线，其中所述第一半导体层被过蚀刻；在所述薄膜晶体管上形成保护膜；以及在所述保护膜上形成像素电极，其中所述第三半导体膜是通过频率为1GHz以上的微波等离子体CVD形成的微晶硅膜。 |
