| 主权项 |
1.一种锁定装置,该锁定装置有一锁定装置输入讯号和一锁定装置输出讯号,该锁定装置至少包含:一驱动反相器,该驱动反相器具有一驱动输入端及一驱动输出端,该驱动输出端提供该锁定装置输出讯号,该锁定装置输入讯号连接至该驱动输入端;及一回馈反相器,与该驱动反相器相连接,该回馈反相器具有一回馈输入端及一回馈输出端,该回馈输入端与该驱动输出端相连,以该锁定装置输出讯号为该回馈反相器输入讯号,该回馈输出端与该驱动输入端相连接,以提供该回馈反相器输出讯号至该驱动输入端,该回馈反相器至少包含:一P通道电晶体,该回馈输入端连接至该P通道电晶体之闸极;一N通道电晶体,该N通道电晶体与该P通道电晶体串联,该回馈输入端连接至该N通道电晶体之闸极,该回馈输出端由该N通道电晶体与该P通道电晶体间接出;及至少一个串联N通道电晶体,与该N通道电晶体串联,该串联N通道电晶体维持在一开路状态。2.如申请专利范围第1项之锁定装置,更包含至少一个串联P通道电晶体,与该P通道电晶体串联,该串联P通道电晶体维持在一开路状态。3.如申请专利范围第1项之锁定装置,更包含一输入反相器,连接于该锁定装置输入讯号与该驱动输入端之间,该输入反相器有一反相器输入端及一反相器输出端,该反相器输入端与该锁定装置输入讯号相连接,该反相器输出端连接于该驱动输入端,以产生该锁定装置输入讯号之一反相讯号至该驱动输入端。4.如申请专利范围第3项之锁定装置,更包含一时脉线路,连接于该输入反相器与该驱动输入端之间,该时脉线路连接至一时脉讯号,对应于该时脉讯号产生该反相器输出端与该驱动输入端之连接。5.如申请专利范围第1项之锁定装置,其中该串联N通道电晶体之闸极长度较该N通道电晶体之闸极长度为长。6.如申请专利范围第2项之锁定装置,其中该串联P通道电晶体之闸极长度较该P通道电晶体之闸极长度为长。7.如申请专利范围第1项之锁定装置,其中该串联N通道电晶体之闸极长度至少为该N通道电晶体之闸极长度的两倍。8.如申请专利范围第2项之锁定装置,其中该串联P通道电晶体之闸极长度至少为该P通道电晶体之闸极长度的两倍。9.一种锁定装置,该锁定装置有一锁定装置输入讯号和一锁定装置输出讯号,该锁定装置至少包含:一驱动反相器,该驱动反相器具有一驱动输入端及一驱动输出端,该驱动输出端提供该锁定装置输出讯号,该锁定装置输入讯号连接至该驱动输入端;及一回馈反相器,与该驱动反相器相连接,该回馈反相器具有一回馈输入端及一回馈输出端,该回馈输入端与该驱动输出端相连,以该锁定装置输出讯号为该回馈反相器输入讯号,该回馈输出端与该驱动输入端相连,以提供该回馈反相器输出讯号至该驱动输入端,该回馈反相器至少包含:一P通道电晶体,该回馈输入端连接至该P通道电晶体之闸极;一N通道电晶体,该N通道电晶体与该P通道电晶体串联,该回馈输入端连接至该N通道电晶体之闸极,该回馈输出端由该N通道电晶体与该P通道电晶体间接出;及至少一个串联P通道电晶体,与该P通道电晶体串联,该串联P通道电晶体维持在一开路状态。10.如申请专利范围第9项之锁定装置,更包含至少一个串联N通道电晶体,与该N通道电晶体串联,该串联N通道电晶体维持在一开路状态。11.如申请专利范围第9项之锁定装置,更包含一输入反相器,连接于该锁定装置输入讯号与该驱动输入端之间,该输入反相器有一反相器输入端及一反相器输出端,该反相器输入端与该锁定装置输入讯号相连接,该反相器输出端连接于该驱动输入端,以产生该锁定装置输入讯号之一反相器讯号至该驱动输入端。12.如申请专利范围第11项之锁定装置,更包含一时脉线路,连接于该输入反相器与该驱动输入端之间,该时脉线路连接至一时脉讯号,对应于该时脉讯号产生该反相器输出端与该驱动输入端之连接。13.如申请专利范围第10项之锁定装置,其中该串联N通道电晶体之闸极长度较该N通道电晶体之闸极长度为长。14.如申请专利范围第9项之锁定装置,其中该串联P通道电晶体之闸极长度较该P通道电晶体之闸极长度为长。15.如申请专利范围第10项之锁定装置,其中该串联N通道电晶体之闸极长度至少为该N通道电晶体之闸极长度的两倍。16.如申请专利范围第9项之锁定装置,其中该串联P通道电晶体之闸极长度至少为该P通道电晶体之闸极长度的两倍。17.一种锁定装置,该锁定装置有一锁定装置输入讯号和一锁定装置输出讯号,该锁定装置至少包含:一驱动反相器,该驱动反相器具有一驱动输入端及一驱动输出端,该驱动输出端提供该锁定装置输出讯号,该锁定装置输入讯号连接至该驱动输入端;及一回馈反相器,与该驱动反相器相连接,该回馈反相器具有一回馈输入端及一回馈输出端,该回馈输入端与该驱动输出端相连,以该锁定装置输出讯号为该回馈反相器输入讯号,该回馈输出端与该驱动输入端相连,以提供该回馈反相器输出讯号至该驱动输入端,该回馈反相器至少包含:一P通道电晶体,该回馈输入端连接至该P通道电晶体之闸极;一N通道电晶体,该回馈输入端连接至该N通道电晶体之闸极;及至少一个串联N通道电晶体,该串联N通道电晶体串联于该P通道电晶体与该N通道电晶体之间,该串联N通道电晶体维持在一开路状态,该回馈输出端由该P通道电晶体与该串联N通道电晶体间接出。18.如申请专利范围第17项之锁定装置,更包含至少一个串联P通道电晶体,该串联P通道电晶体串联于该P通道电晶体与该串联N通道电晶体之间,该串联P通道电晶体维持在一开路状态,该回馈输出端由该串联P通道电晶体与该串联N通道电晶体间接出。19.如申请专利范围第17项之锁定装置,更包含一输入反相器,连接于该锁定装置输入讯号与该驱动输入端之间,该输入反相器有一反相器输入端及一反相器输出端,该反相器输入端与该锁定装置输入讯号相连接,该反相器输出端连接于该驱动输入端,以产生该锁定装置输入讯号之一反相讯号至该驱动输入端。20.如申请专利范围第19项之锁定装置,更包含一时脉线路,连接于该输入反相器与该驱动输入端之间,该时脉线路连接至一时脉讯号,对应于该时脉讯号产生该反相器输出端与该驱动输入端之连接。21.如申请专利范围第17项之锁定装置,其中该串联N通道电晶体之闸极长度较该N通道电晶体之闸极极长度为长。22.如申请专利范围第18项之锁定装置,其中该串联P通道电晶体之闸极长度较该P通道电晶体之闸极极长度为长。23.如申请专利范围第17项之锁定装置,其中该串联N通道电晶体之闸极长度至少为该N通道电晶体之闸极长度的两倍。24.如申请专利范围第18项之锁定装置,其中该串联P通道电晶体之闸极长度至少为该P通道电晶体之闸极长度的两倍。25.一种锁定装置,该锁定装置有一锁定装置输入讯号和一锁定装置输出讯号,该锁定装置至少包含:一驱动反相器,该驱动反相器具有一驱动输入端及一驱动输出端,该驱动输出端提供该锁定装置输出讯号,该锁定装置输入讯号连接至该驱动输入端;及一回馈反相器,与该驱动反相器相连接,该回馈反相器具有一回馈输入端及一回馈输出端,该回馈输入端与该驱动输出端相连,以该锁定装置输出讯号为该回馈反相器输入讯号,该回馈输出端与该驱动输入端相连,以提供该回馈反相器输出讯号至该驱动输入端,该回馈反相器至少包含:一P通道电晶体,该回馈输入端连接至该P通道电晶体之闸极;一N通道电晶体,该回馈输入端连接至该N通道电晶体之闸极;及至少一个串联P通道电晶体,该串联P通道电晶体串联于该P通道电晶体与该N通道电晶体之间,该串联P通道电晶体维持在一开路状态,该回馈输出端由该串联P通道电晶体与该N通道电晶体间接出。26.如申请专利范围第25项之锁定装置,更包含至少一个串联N通道电晶体,该串联N通道电晶体串联于该串联P通道电晶体与该N通道电晶体之间,该串联P通道电晶体维持在一开路状态,该回馈输出端由该串联N通道电晶体与该串联P通道电晶体间接出。27.如申请专利范围第25项之锁定装置,更包含一输入反相器,连接于该锁定装置输入讯号与该驱动输入端之间,该输入反相器有一反相器输入端及一反相器输出端,该反相器输入端与该锁定装置输入讯号相连接,该反相器输出端连接于该驱动输入端,以产生该锁定装置输入讯号之一反相讯号至该驱动输入端。28.如申请专利范围第27项之锁定装置,更包含一时脉线路,连接于该输入反相器与该驱动输入端之间,该时脉线路连接至一时脉讯号,对应于该时脉讯号产生该反相器输出端与该驱动输入端之连接。29.如申请专利范围第26项之锁定装置,其中该串联N通道电晶体之闸极长度较该N通道电晶体之闸极长度为长。30.如申请专利范围第25项之锁定装置,其中该串联P通道电晶体之闸极长度较该P通道电晶体之闸极长度为长。31.如申请专利范围第26项之锁定装置,其中该串联N通道电晶体之闸极长度至少为该N通道电晶体之闸极长度的两倍。32.如申请专利范围第25项之锁定装置,其中该串联p通道电晶体之闸极长度至少为该P通道电晶体之闸极长度的两倍。33.一种半工锁定装置,该半工锁定装置有一半工锁定装置输入讯号和一半工锁定装呈输出讯号,该半工锁定装置至少包含:一驱动反相器,该驱动反相器具有一驱动输入端及一驱动输出端,该驱动输出端提供该半工锁定装置输出讯号,该半工锁定装置输入讯号连接至该驱动输入端;及一回馈反相器,与该驱动反相器相连接,该回馈反相器具有一回馈输入端及一回馈输出端,该回馈输入端与该驱动输出端相连,以该半工锁定装置输出讯号为该回馈反相器输入讯号,该回馈输出端与该驱动输入端相连,以提供该回馈反相器输出讯号至该驱动输入端,该回馈反相器至少包含:一N通道电晶体,该回馈输入端连接至该N通道电晶体之闸极;及至少一个串联N通道电晶体,该串联N通道电晶体串联于该N通道电晶体之一极,该回馈输出端由该N通道电晶体之另一极接出,该串联N通道电晶体维持在一开路状态。34.如申请专利范围第33项之半工锁定装置,更包含一输入反相器,连接于该半工锁定装置输入讯号与该驱动输入端之间,该输入反相器有一反相器输入端及一反相器输出端,该反相器输入端与该半工锁定装呈输入讯号相连接,该反相器输出端连接于该驱动输入端,以产生该半工锁定装置输入讯号之一反相讯号至该驱动输入端。35,如申请专利范围第34项之半工锁定装置,更包含一时脉线路,连接于该输入反相器与该驱动输入端之间,该时脉线路连接至一时脉讯号,对应于该时脉讯号产生该反相器输出端与该驱动输入端之连接。36.如申请专利范围第33项之半工锁定装置,其中该串联N通道电晶体之闸极长度较该N通道电晶体之闸极长度为长。37.如申请专利范围第33项之半工锁定装置,其中该串联N通道电晶体之闸极长度至少为该N通道电晶体之闸极长度的两倍。38.一种半工锁定装置,该半工锁定装置有一半工锁定装置输入讯号和一半工锁定装置输出讯号,该半工锁定装置至少包含:一驱动反相器,该驱动反相器具有一驱动输入端及一驱动输出端,该驱动输出端提供该半工锁定装置输出讯号,该半工锁定装置输入讯号连接至该驱动输入端;及一回馈反相器,与该驱动反相器相连接,该回馈反相器具有一回馈输入端及一回馈输出端,该回馈输入端与该驱动输出端相连,以该半工锁定装置输出讯号为该回馈反相器输入讯号,该回馈输出端与该驱动输入端相连,以提供该回馈反相器输出讯号至该驱动输入端,该回馈反相器至少包含:一P通道电晶体,该回馈输入端连接至该N通道电晶体之闸极;及至少一个串联P通道电晶体,该串联P通道电晶体串联于该P通道电晶体之一极,该回馈输出端由该P通道电晶体之另一极接出,该串联P通道电晶体维持在一开路状态。39.如申请专利范围第38项之半工锁定装置,更包含一输入反相器,连接于该半工锁定装置输入讯号与该驱动输入端之间,该输入反相器有一反相器输入端及一反相器输出端,该反相器输入端与该半工锁定装置输入讯号相连接,该反相器输出端连接于该驱动输入端,以产生该半工锁定装置输入讯号之一反相讯号至该驱动输入端。40.如申请专利范围第39项之半工锁定装置,更包含一时脉线路,连接于该输入反相器与该驱动输入端之间,该时脉线路连接至一时脉讯号,对应于该时脉讯号产生该反相器输出端与该驱动输入端之连接。41.如申请专利范围第38项之半工锁定装置,其中该串联P通道电晶体之闸极长度较该P通道电晶体之闸极长度为长。42.如申请专利范围第38项之半工锁定装置,其中试串联P通道电晶体之闸极长度至少为该P通道电晶体之闸极长度的两倍。图示简单说明:第一图为习知锁定装置之示意图;第二图为本发明中之锁定装置之示意图;第三图为本发明中之锁定装置另一实施例之示意图;第四图A为本发明中之锁定装置,使用一串联之N通道电晶体于回馈反相器中的实施例之示意图;第四图B为本发明中之锁定装置,使用一串联之N通道电晶体于回馈反相器中的另一实施例之示意图;第四图C为本发明中之锁定装置,使用一串联之P通道电晶体于回馈反相器中的实施例之示意图;第四图D为本发明中之锁定装置,使用一串联之P通道电晶体于回馈反相器中的另一实施例之示意图;第五图A为本发明应用于一半工锁定装置的实施例之示意图;第五图B为本发明应用于一半工锁定装置的另一实施例之示意图。 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