| 发明名称 | 光电转换元件及太阳能电池 | ||
| 摘要 | 本发明实施方案的光电转换元件,其特征在于,该元件具有：p型光吸收层,该p型光吸收层含有Cu、选自由Al、In及Ga构成的组中的至少1种以上的IIIb族元素、与由O、S、Se及Te构成的组中的至少1种以上的元素;以及,上述p型光吸收层上形成的n型半导体层,该n型半导体层为Zn1-yMyO1-XSX、Zn1-y-zMgzMyO(M为选自由B、Al、In及Ga构成的组中的至少1种元素)与由控制载流子浓度的GaP表示的任何一种,在上述Zn1-yMyO1-XSX及Zn1-y-zMgzMy中，x、y、z满足0.55≤x≤1.0、0.001≤y≤0.05及0.002≤y+z≤1.0的关系。 | ||
| 申请公布号 | CN103503160A | 申请公布日期 | 2014.01.08 |
| 申请号 | CN201280022016.1 | 申请日期 | 2012.04.25 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 芝崎聪一郎;山崎六月;中川直之;樱田新哉;稻叶道彦 |
| 分类号 | H01L31/04(2014.01)I | 主分类号 | H01L31/04(2014.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 王永红 |
| 主权项 | 光电转换元件,其特征在于具有：p型光吸收层,该p型光吸收层含有Cu、选自由Al、In及Ga构成的组中的至少1种以上的IIIb族元素、与由O、S、Se及Te构成的组中的至少1种以上的元素;以及,在上述p型光吸收层上形成的n型半导体层,该n型半导体层为Zn1‑yMyO1‑XSX、Zn1‑y‑zMgzMyO(M为选自由B、Al、In及Ga构成的组中的至少1种元素)与由控制载流子浓度的GaP表示的任何一种;在上述Zn1‑yMyO1‑XSX及Zn1‑y‑zMgzMyO中，x、y、z满足0.55≤x≤1.0、0.001≤y≤0.05以及0.002≤y+z≤1.0的关系。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||